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下面是我們最新的專利。

  • 用于抑制緩沖器中的偏移變化的電子電路和方法與流程
    本發(fā)明涉及一種用于抑制緩沖器中的偏移變化的電子電路和方法。背景技術(shù)、參考緩沖器是電子信號處理鏈的重要組成部分。這些緩沖器尤其是具有以下任務(wù):將通常是高阻(即具有高電阻)的參考電壓轉(zhuǎn)換成低阻(即具有低電阻)的電壓。一個原因是,低阻電壓能夠更好地驅(qū)動其他電子元件如電阻、電容或電感,而不會出現(xiàn)顯著的電壓...
  • 動力傳遞裝置的制作方法
    本說明書公開的技術(shù)涉及具備行星齒輪機構(gòu)和收容行星齒輪機構(gòu)的殼體的動力傳遞裝置。背景技術(shù)、作為動力傳遞裝置之一,專利文獻公開了將電動機的動力經(jīng)由行星齒輪減速器和差動裝置向車軸傳遞的變速驅(qū)動橋。根據(jù)專利文獻,行星齒輪減速器是以在電動機的輸出軸上形成的太陽齒輪作為輸入元件、以在收容行星齒輪減速器的殼體上...
  • 自行車用動力傳遞裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及自行車用動力傳遞裝置。背景技術(shù)、自行車用動力傳遞裝置具有第一旋轉(zhuǎn)體以及第二旋轉(zhuǎn)體(例如專利文獻)。第一旋轉(zhuǎn)體與第二旋轉(zhuǎn)體構(gòu)成為能夠相對旋轉(zhuǎn)。第一旋轉(zhuǎn)體與第二旋轉(zhuǎn)體通過線圈彈簧彈性地連結(jié)。、若向第一旋轉(zhuǎn)體輸入轉(zhuǎn)矩,則第一旋轉(zhuǎn)體相對于第二旋轉(zhuǎn)體而相對旋轉(zhuǎn),線圈彈簧被壓縮。若輸入至第一旋轉(zhuǎn)體的...
  • 含嘧啶三環(huán)稠環(huán)類衍生物抑制劑、其制備方法和應用與流程
    本發(fā)明屬于藥物合成領(lǐng)域,具體涉及一種含嘧啶三環(huán)稠環(huán)類衍生物抑制劑及其制備方法和應用。背景技術(shù)、大鼠肉瘤(rat?sarcoma,ras)蛋白由原癌基因hras、nras以及kras編碼,分為種蛋白hras、nras、krasa和krasb,是一種gtp(guanosine?triphosphate...
  • 用于飛行器的機翼、用于機翼的前緣高升力組件以及飛行器的制作方法
    本發(fā)明涉及用于飛行器的機翼。本發(fā)明的其他方面涉及用于這種機翼的前緣高升力組件,以及包括這種機翼和/或包括這種前緣高升力組件的飛行器。背景技術(shù)、所描述的用于飛行器的機翼包括主機翼和前緣高升力組件,前緣高升力組件包括縫翼和連接組件,連接組件將縫翼以可移動的方式連接至主機翼,使得縫翼能夠相對于主機翼在縮...
  • 圖像處理設(shè)備、控制方法、計算機程序產(chǎn)品和存儲介質(zhì)與流程
    本公開的技術(shù)涉及圖像處理設(shè)備、控制方法、計算機程序產(chǎn)品和介質(zhì),并且特別涉及對擴展圖像的圖像處理。背景技術(shù)、近年來,隨著生成式ai技術(shù)的發(fā)展,可以擴展圖像數(shù)據(jù)。這使得能夠生成原始圖像中不存在的區(qū)域并創(chuàng)建具有更寬視野的圖像,并且使得能夠在圖像的特定區(qū)域中生成原始圖像中不存在的被攝體。將考慮將這種技術(shù)應...
  • 電子裝置的制作方法
    本揭露涉及一種電子裝置,且尤其涉及一種具有視角屏障層的顯示裝置。背景技術(shù)、包含顯示面板在內(nèi)的電子裝置,例如平板計算機、筆記本電腦、智能手機、顯示器及電視,已成為現(xiàn)代社會不可或缺的必需品。隨著這種便攜式電子產(chǎn)品的蓬勃發(fā)展,消費者對這些產(chǎn)品的質(zhì)量、功能或價格抱有很高的期望。、車用影音系統(tǒng)的功能日益豐富...
  • 單晶提拉裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及單晶提拉裝置。背景技術(shù)、已知基于切克勞斯基法的單晶提拉裝置,具有筒狀的冷卻體和拍攝裝置,所述筒狀的冷卻體圍繞從坩堝內(nèi)的熔液提拉的培育中的單晶的外周面而冷卻單晶,所述拍攝裝置觀察坩堝內(nèi)的熔液的液面(例如參照專利文獻)。、專利文獻:日本特開-號公報。、專利文獻中,借助冷卻體圍繞培育中的單晶的...
  • 保持裝置以及繩索長度的確定方法與流程
    本公開涉及保持裝置以及繩索長度的確定方法。背景技術(shù)、在專利文獻中記載了繩索的維護裝置。專利文獻所記載的維護裝置例如在更換或截短與電梯的轎廂連接的繩索的情況下,用于去除作用于繩索的負荷。在使用該維護裝置的情況下,在去除了作用于繩索的負荷之后,在更換繩索時需要進行用于確定新繩索的長度的作業(yè),在截短繩索...
  • 光檢測元件的制作方法
    本公開的一方面涉及光檢測元件。背景技術(shù)、在國際公開第/號中公開有一種作為光檢測元件的一例的拍攝裝置,該拍攝裝置具備形成于半導體基板的第一半導體層、形成于第一半導體層上的導電型與第一半導體層相反的第二半導體層、形成于第二半導體層上的導電型與第二半導體層相同的第三半導體層、劃定包括第一半導體層及第二半...
  • 礦用隔爆兼本安型鋰離子蓄電池電源的制作方法
    本申請的實施例涉及鋰離子蓄電池電源領(lǐng)域,具體涉及礦用隔爆兼本安型鋰離子蓄電池電源。背景技術(shù)、在煤礦的井底車場、提升機房、主通風機房、變電所、充電硐室、膠帶運輸機的機頭和機尾、采掘工作面等場合,會集中部署比較多的本安型用電負載,包括攝像儀、溫度傳感器、瓦斯傳感器、一氧化碳傳感器、led(light?...
  • 納米顆粒、制備其的方法及組合物、復合物和裝置與流程
    公開了半導體納米顆粒、制造半導體納米顆粒的方法、包括半導體納米顆粒和液態(tài)載體的組合物、包括基質(zhì)和分散在基質(zhì)中的多個納米顆粒的半導體納米顆粒復合物、包括半導體納米顆粒的顯示裝置、以及包括半導體納米顆粒的電子裝置。背景技術(shù)、半導體納米顆粒與具有基本相同組成的對應塊體(bulk)材料相比可表現(xiàn)出不同的方...
  • 可變壓力投配方法和系統(tǒng)與流程
    本公開總體涉及用于氣相過程的方法和設(shè)備。更具體地,本公開涉及在襯底表面上的間隙內(nèi)沉積材料的氣相方法以及執(zhí)行這種方法的反應器系統(tǒng)。背景技術(shù)、氣相過程比如化學氣相沉積(cvd)、等離子體增強cvd(pecvd)、原子層沉積(ald)等通常用于將材料沉積到襯底表面上,從襯底表面蝕刻材料,和/或清潔或處理...
  • 混合夾的制作方法
    本發(fā)明總體上涉及用于緊固物體的裝置,并且更具體地涉及用于插入到接合結(jié)構(gòu)(諸如車輛底盤、中空襯底、壁、建筑結(jié)構(gòu)、板或任何合適的表面)中的緊固夾。背景技術(shù)、許多裝置和緊固件目前可用于將面板、汽車內(nèi)部裝飾件面板和車身面板緊固到車輛的底盤。如本文所用,車身面板是指例如車輛上的任何內(nèi)部或外部車身面板、塑料內(nèi)...
  • 控制裝置、機床、控制方法及計算機程序產(chǎn)品與流程
    本發(fā)明涉及控制裝置、機床、控制方法及計算機程序產(chǎn)品。背景技術(shù)、已知一種能夠在多個工具庫之間更換工具的機床。機床具有多個工具庫和開關(guān),開關(guān)設(shè)置在多個工具庫各自的工具保持部,用于檢測工具的有無。機床根據(jù)開關(guān)的檢測結(jié)果,來確認各工具保持部中的工具有無狀態(tài)。在工具的更換時,在工具保持部中的工具有無狀態(tài)不正...